半導體製造是一個高度復雜的過程，將原始矽轉化為功能芯片，每一步都需要極高的精度和控製。這一過程從矽片生產開始，高純度矽錠（通過Czochralski法生長）被切成薄的圓形矽片——通常直徑為12英寸（300毫米），用於先進的製造。這些晶圓經過嚴格的清洗以去除雜質，因為即使是一個塵埃顆粒也會導致芯片缺陷。

芯片製造的核心是光刻工藝，它將電路圖案轉移到矽片上。使用紫外線（UV）光，光掩膜（包含芯片的電路設計）將圖案投射到晶圓片上的光敏層（光刻膠）上。曝光後，光刻膠顯影，留下指導後續蝕刻或沈積步驟的圖案。先進的節點（例如3nm， 2nm）使用極紫外（EUV）光刻技術，采用更短的波長來創建更精細的電路特征，從而實現更高的晶體管密度。

光刻之後，晶圓要經歷一系列步驟，包括蝕刻（去除不需要的矽）、沈積（添加金屬或電介質等材料）和摻雜（修改矽的電性能）。為了構建芯片的多層電路，這些步驟要重復數百次。一旦製造完成，晶圓片被切成單獨的芯片（模具），然後用連接器封裝並測試功能。整個製造過程需要超凈設施（潔凈室）和精確的溫度、壓力和濕度控製，以確保產量和可靠性。